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  储存技术创新发展  
 
三星
  • 预计自2021年开始量产第4代10纳米级的DDR5和LPDDR5
  • 预计于2021年底量产14奈米EUV DRAM与176层堆栈 NAND Flash
  • 六月九日表示加速生产200层或更多层数堆栈的V-NAND Flash 产能投入新制程
海力士
  • 韩国SK海力士已经在2020年的10月6日首次公开发表DDR5 DRAM
  • 年初SK海力士收购英特尔的NAND存储器和存储业务
  • 预计于2021下半年量产14奈米EUV DRAM，2021年底量产176层堆栈NAND Flash
美光
  • 美光在2020年宣布出样以第3代10纳米级1z纳米制程打造的最新DDR5 DRAM，今年初送样DDR5 RDIMM
  • 2021年六月初，美光在 COMPUTEX 2021 发表 1α 制程 DRAM (13-14奈米DUVDRAM)与176 层堆栈 NAND Flash进入量产阶段
铠侠
  • Kioxia/Western Digital 发表BiCS 6 162层 3D NAND，有别之前自己宣布开发的176层产品技术
 
     
  2021年第三季储存市场持续增温  
 

IC Insights 所发布的 McClean 最新调查报告指出，2021 年的内存芯片市场预估成长 32%。其中，DRAM 市场的销额预估年增 41%，NAND 闪存的销额预估年增 22%。

目前原厂竞相投入新制程展现创新实力，而第三季预期在云端服务商的数据中心建置、企业上云加速、自驾车的路侧服务器，以及工业4.0等技术发展下，各大厂将持续提升服务器采购力道。

由于供应状况依然紧绷， IC Insights 估计 DRAM 每一字节的平均单价、在今 (2021) 年下半年仍然看涨。此外，NAND 每一字节的平均单价、在 2020 年第一季到 2021 年第一季之间下滑了 26%，不过价格也在 2021 年第二季趋稳，也预估在今年剩余的两个季度、行情应该会出现上扬。

 
 
服务器：
TrendForce 指出，服务器采购需求持续成长，加上 DRAM 产能仍无法满足市场需求，预估第三季服务器 DRAM 价格将调涨 3-8%，Enterprise SSD 采购量也将大幅成长，第三季 NAND Flash 涨价幅度估达 1 成。受到英特尔与超威平台导入品牌厂时程略为放缓，以及中国新基建部分项目推迟影响，第二季整体服务器出货量季增率将由原先预测的 19.6%，下修至 17.7%，但递延订单仍可望推升今年下半年出货表现。
手机：
智能型手机在印度生产， 受当地疫情严重冲击，使品牌厂下修生产数量，相关生产备料因而降低。因此，服务器所需关键零组件从第二季起将可满足生产需求，长短料问题逐渐解决中。整体而言， TrendForce预期下半年中国智能型手机品牌厂将放缓行动式DRAM与NAND Flash的采购，但其他终端应用需求依旧强劲，故整体内存合约价格仍不易下跌。
消费终端：
今年笔电需求持续畅旺，预期生产台数年增14.3％上看2.38亿台。第三季整体 NAND Flash 供应市况将随着消费电子产品生产旺季到来，面临供应吃紧，持续受限于控制IC缺货，库存量低于DRAM，平均库存达4～5周，预测价格将会出现近 10% 涨幅。
汽车与嵌入式系统：
5G、WiFi6 、物联网、人工智能等创新技术发展，应用于智慧车载、无人运输载具、边缘运算平台、智能城市建设、智能医疗、智慧工厂等领域需求持续升温，对于可以稳定供货的DRAM与NAND Flash的使用殷切，并且有特殊环境应用与数据安全的需求，产品少量多样，追求耐久可靠，在供应链的涨幅上，陷入零组件供货不稳涨价困扰，反应出的涨幅将比消费产品更加明显。
 
     
 
2021 Q3 DRAM & NAND Flash 价格走势

季度\产品别

DRAM NAND Flash

2021 Q2

Up 18~23% Up 5~10%

2021 Q3

Up 3~8% Up 5~10%
Source: TrendForce
 
     
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